江丰电子拟定增16.5亿元 加码集成电路靶材项目

12月17日晚间，江丰电子披露非公开发行预案。公司拟通过定向增发，募集不超过16.5亿元，用于宁波江丰电子年产5.2万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目、浙江海宁年产1.8万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目、半导体材料研发中心建设项目以及补充流动资金。

根据公告，宁波江丰电子年产5.2万个集成电路靶材产业化项目总投资额为9.87亿元，拟使用募集资金7.81亿元。本项目将建设公司在浙江余姚的第二个生产基地，进一步提高公司集成电路用高纯铝靶材、高纯钛靶材及环件、高纯钽靶材及环件等主要产品规模化生产能力。

经测算，该项目预计建设周期为24个月，预计税后财务内部收益率为14.25%，税后静态投资回收期为8.79年(含建设期)。

浙江海宁年产1.8万个集成电路靶材产业化项目总投资额为4.08亿元，拟使用募集资金3.17亿元。本项目将建设公司在浙江海宁的生产基地，进一步提高公司集成电路用高纯铜靶材及环件、铜阳极等主要产品规模化生产能力。项目预计建设周期为24个月，税后财务内部收益率为14.40%，税后静态投资回收期为8.79年(含建设期)。

作为江丰电子的实控人、控股股东、董事长，姚力军拟出资5000万元至1亿元参与此次认购。

（文章来源：上海证券报）

文章来源：上海证券报