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消息称三星计划量产的 1c DRAM 使用 MOR 光刻胶
观点 / · 2024-04-30 14:30
IT之家4月30日消息，根据韩媒TheElec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
观点 / · 2024-04-09 16:30
IT之家4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。
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1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料
观点 / · 2024-02-03 22:30
IT之家2月3日消息，根据韩媒TheElec的报道，DRAM内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是1cnm工艺引入更多新技术。
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三星定目标：2022 年 6 月前全面开发出第六代、11 nm 1c DRAM 芯片
观点 / · 2022-04-15 16:51
IT之家4月15日消息，据BusinessKorea的报道，三星已经设定了目标，即在今年6月前完成11纳米的第六代1cDRAM芯片的开发。据说该公司...

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